（一）产品用途：对于石墨烯生长工艺非常合适。制作硅片可在片状或类似形状样品表面沉积SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、纳米硅、SiC、类金刚石等多种薄膜，对于离子注入后的贵金属，各种黄金首饰，金刚石等材料的抗弯强度和磨耗也有了较大幅度的提高。并可沉积p型、n型掺杂薄膜。沉积的薄膜具有良好均匀性、致密性、粘附性、绝缘性。适用于集成电路与半导体研发。也可做：于稀土制备、电子照明、晶体退火、生物陶瓷、电子陶瓷、特种合金、磁性材料、精密铸造、金属热处理等行业进行真空烧结、气氛保护烧结、CVD实验、物质成分测量等场合使用。
（二）主要功能和特点：
1.此款设备配有Plasma实现等离子增强，滑轨式设计在操作时可将实验需要的恒定高温直接推到样品处，使样品能得到一个快速的升温速度，同样也可将高温的管式炉直接推离样品处，使样品直接暴露在室温环境下，得到快速的降温速率。
2、利用辉光放电产生等离子体电子激活气相；
3、提高了气相反应的沉积速率、成膜质量；
4、可通过调整射频电源频率来控制沉积速率；
4、能广泛用于：石墨烯、SiOx、SiNx、CNx、TiCxNy等薄膜的生长。
5.常用气体：氮气，氩气，氢气，甲烷四种气体混合使用。比例咨询**。
（三）加热器技术参数
1.型号：TF1200-60II-60S-SL-LV-4Z-T10
2.石英管尺寸： 长2000mm Φ60 内径50mm（高温下化学稳定性强，耐腐蚀，热膨胀系数极小，能承受骤冷骤热）
3.加热元件： 进口 掺钼铁铬铝合金电阻丝
4.测温元件： N型热电偶
5.加热区长度： 205+205mm
6.恒温区长度： 200mm
7.工作温度： ≤1100℃
8.控温模式： 模糊PID控制和自整定调节，智能化30段可编程控制，具有超温和断偶报警功能
9.控温精度： ±1℃
10.升温速率： ≤20℃/min
11.电功率： AC220V/50HZ/3KW
12.控制面板：10寸液晶触摸屏.
13.预热区：加热区205mm.功率1.5KW
14.整机占地：宽2200MM（左右占地）,深800m（进身）